Interaktiver NMOS-Transistor (Beta)

Ein MOSFET nutzt ein elektrisches Feld. Wenn du die Gate-Spannung (UGS) erhöhst, laden sich die positiven Teilchen (+) am Gate auf. Diese ziehen die negativen Elektronen aus dem P-Substrat nach oben und bilden eine Brücke (den Kanal).

P-Silizium SOURCE DRAIN GATE (G) + + + + + +
0V 2V
Spannung UGS: 0.0V
Sperrbereich